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近年来，停电二维材料因其独特的优势被广泛应用于忆阻器中，停电不仅提高了忆阻器的性能，而且还促进了忆阻器在柔性电子、低功耗、高温设备、神经形态计算等方面的发展。本课题组招聘优秀的博后和研究员，作业欢迎投递简历至506180626(at)163.com。

数同(c,d)单层h-BN交叉开关器件中双极性和单极性开关响应的I-V曲线。比增(c)图(a)中I-V曲线的拟合结果。最后，南配对二维材料在忆阻器领域的应用进行了总结，并提出了未来的研究方向。

停电(c)Vset值与材料厚度的对应关系。(c)Ag/GO/ITO器件的I-V曲线，作业其中GO膜退火温度为20℃，插图为器件示意图。

张晗教授，数同男，1984年出生，深圳大学特聘教授、深圳市黑磷工程实验室主任、博士生导师。

比增图7. BN基忆阻器的基本特性(a,b)Ti/thinh-BN/Cu器件的结构图示及忆阻器的经典I-V曲线。文献链接：南配DOI:10.1021/jacs.9b12788图5 TPZ/UCSs的结构示意图及其在肿瘤治疗中的应用6、南配一种用于气体分离的MOF玻璃薄膜｜Angew.金属有机骨架(MOF)玻璃是一种很有前途的膜制造材料，因为它具有显著的多孔性，易于加工，最重要的是，它具有消除多晶MOF膜不可避免的晶界的潜力。

相关研究以EmbeddingUltrafineMetalOxideNanoparticlesinMonolayeredMetal-OrganicFrameworkNanosheetsEnablesEfficientElectrocatalyticOxygenEvolution为题目，停电发表在ACSNANO上。表面粗糙度、作业结构、形态和表面电位分析揭示了ZIF家族成员的详细特征。

在此，数同天津大学姜忠义、潘福生教授团队和宁波大学李砚硕、金花教授合作开发了一种ZIF-62MOF玻璃膜，并利用其固有的气体分离性能。在此，比增加州大学伯克利分校JeffreyR.Long教授等报道了一种含有裸露二价钒金属活性中心的金属有机框架，比增这种V(Ⅱ)活性中心能够作用于π-酸性气体提供反馈电子来进行气体吸附和分离。